Диоды ON Semiconductor MBRS340T3G

Эти устройства используют принцип барьера Шоттки в силовом диоде большой площади металл-кремний. Современная геометрия отличается эпитаксиальной конструкцией с пассивацией оксидом и контактом с металлическим покрытием. Идеально подходит для низковольтного, высокочастотного выпрямления или в качестве диодов с защитой от вращения и полярности в приложениях для поверхностного монтажа, где компактные размеры и вес имеют решающее значение для системы.

Особенности
• Небольшой Компактный комплект для монтажа на поверхность с выводами J-Образного изгиба
• Прямоугольная упаковка для автоматической обработки
• Высокостабильный переход, пассивированный оксидом
• Очень Низкое Падение Прямого напряжения (Максимум 0,5 В при 3,0 А, TJ = 25°C)
• Отличная способность выдерживать Обратные лавинные энергетические переходные процессы
• Защитное кольцо для защиты от стресса
• Устройство пропускает импульс ISO 7637 #1
• Эти устройства не содержат Pb, не содержат галогенов/BFR и соответствуют требованиям RoHS.

Механические характеристики
• Корпус: Эпоксидная смола, формованная, Эпоксидная смола соответствует UL 94 V−0
• Вес: 217 мг (приблизительно)
• Отделка: все внешние поверхности устойчивы к коррозии, а клеммные выводы легко поддаются пайке
• Температура свинца и монтажной поверхности для пайки: 260°C Макс. в течение 10 Секунд
• Полярность: Полоса полярности на пластиковом корпусе указывает на катодный вывод
• Устройство Соответствует требованиям MSL 1
• Рейтинги ESD:
♦ Модель машины = C (> 400 В)
♦ Модель человеческого тела = 3B (> 8000 В)