По будням с 09:00 до 18:00

Транзисторы

  • Код Товара: 0000789
Транзисторная сборка из 4-х NPN транзисторов..
  • Код Товара: 0001238
1НТ251А — транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ) Применяются в быстродействующих ..
  • Код Товара: 0000690
..
  • Код Товара: 0000691
..
  • Код Товара: 0001255
Режим усиления N-канала MOSFETЭтот МОП-транзистор был разработан таким образом, чтобы свести к миним..
  • Код Товара: 0001247
Полевой транзистор с режимом усиления N-канала (FET) в пластиковой упаковке с использованием техноло..
  • Код Товара: 0001248
Полевой транзистор с режимом усиления N-канала (FET) в небольшом корпусе SOT23 (TO-236AB) для поверх..
  • Код Товара: 0001249
Полевой транзистор с двойным N-канальным усилением (FET) в очень маленьком пластиковом корпусе SOT36..
  • Код Товара: 0001250
Полевой транзистор с двойным N-канальным усилением (FET) в сверхмалой пластиковой упаковке SOT666 дл..
  • Код Товара: 0001251
Полевой транзистор с режимом усиления N-канала (FET) в небольшом пластиковом корпусе SOT323 (SC-70) ..
  • Код Товара: 0001252
Полевой транзистор (FET) с защитой от ESD в режиме усиления N-канала в небольшом пластиковом корпусе..
  • Код Товара: 0001256
N-канальный МОП-транзистор 60 В (D-S)..
  • Код Товара: 0001254
..
  • Код Товара: 0001253
..
  • Код Товара: 0000692
..
  • Код Товара: 0000693
Биполярный транзистор..
  • Код Товара: 0000694
..
  • Код Товара: 0000695
Транзисторы кремниевые, диффузно-планарные, полевые, с двумя изолированными затворами и каналом n-ти..
  • Код Товара: 0000697
..
  • Код Товара: 0000696
..
  • Код Товара: 0000698
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-р-n..
  • Код Товара: 0000699
..
  • Код Товара: 0000700
..
  • Код Товара: 0000701
..
  • Код Товара: 0000702
..
  • Код Товара: 0000703
..
  • Код Товара: 0000704
Высокочастотные р-n-р транзисторы малой мощности. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высо..
  • Код Товара: 0000705
..
  • Код Товара: 0000706
..
  • Код Товара: 0000707
Кремниевые планарные n-p-n транзисторы 2Т630Б в металлостеклянном корпусе КТ-2-7, предназначены для ..
Показано с 1 по 30 из 143 (всего 5 страниц)

Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.