Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Производители
Infineon Technologies
Код Товара:
0058694
100.00 р.
Цена с учётом НДС
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
| Характеристики | |
| Тип корпуса | 34 mm |
| Ток коллектора | 35А |
| Количество в упаковке | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200В |